SpaceX офіційно подала заявку на податкові пільги в окрузі Граймс (Техас) для реалізації масштабного проєкту Terafab. Ця заява, опублікована 6 травня 2026 року, підтверджує наміли компанії Ілона Маска створити власний напівпровідниковий завод у США. Загальний обсяг інвестицій у проєкт може сягнути 119 млрд доларів, що в шість разів перевищує початкові оцінки в 20 млрд доларів. Новина про значне збільшення фінансування викликала широкий інтерес у світових ЗМІ, зокрема в виданні TomsHardware.

Завод буде розташований біля водосховища Гіббонс-Крік, приблизно за 145 кілометрів на північний схід від Остіна. Це місце обрано спеціально для будівництва багатофазового комплексу, який поєднує виробництво чипів та передових обчислювальних потужностей. Локація біля Браян-Коледж-Стейшн забезпечить необхідну інфраструктуру для такої великої промислової установки.

Головна мета проєкту — забезпечити SpaceX та інші компанії Ілона Маска, такі як Tesla та xAI, незалежним постачанням напівпровідників. Це рішення є відповіддю на глобальний дефіцит чипів та зростаючі геополітичні ризики, які загрожують ланцюжкам поставок технологічних компонентів. Виробництво спрямоване насамперед на потреби штучного інтелекту та космічних програм.

Реалізація Terafab стане одним із найбільших інвестиційних проєктів у історії американської напівпровідникової галузі. Хоча раніше повідомлялося, що фабрику могли будувати компанії Intel, тепер фокус змістився на власні потужності SpaceX. Цей крок може суттєво вплинути на економіку Техасу та загальну ситуацію на ринку мікроелектроніки.

Для українських читачів ця новина є важливою свідченням глобальних змін у технологічному секторі. Зростання інвестицій у США може вплинути на міжнародні ринки та стратегії інших країн, включаючи Україну, яка також шукає способи розвитку власної напівпровідникової індустрії. Спостереження за розвитком проєкту Terafab допоможе краще зрозуміти майбутнє технологічного ринку.